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画像はあくまで参考です。
FDD6680
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Date Sheet
在庫數 239433
- 1+： $1.59717
- 10+： $1.50677
- 100+： $1.42148
- 500+： $1.34102
- 1000+： $1.26511
小計金額 $1.59717
仕様 よくある質問
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Ta 46A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.3W Ta 56W Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：FDD6680
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1230pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：18nC @ 5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：55A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0105Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：100A
- DS Breakdown Voltage-Min：30V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：205 mJ
在庫數 239433
- 1+： $1.59717
- 10+： $1.50677
- 100+： $1.42148
- 500+： $1.34102
- 1000+： $1.26511
小計金額 $1.59717
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