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画像はあくまで参考です。
NTD65N03RT4G
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
Date Sheet
在庫數 43000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9.5A Ta 32A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.3W Ta 50W Tc
- Turn Off Delay Time：20.3 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：25V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：65A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：50W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8.4m Ω @ 30A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1400pF @ 20V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16nC @ 5V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：32A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：130A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：71.7 mJ
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 43000
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