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IRFR7446PBF
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Infineon Technologies
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2 Tab) DPAK Tube
Date Sheet
在庫數 150
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：3.949996g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：56A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：98W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：HEXFET®, StrongIRFET™
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Discontinued
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：9.8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.9m Ω @ 56A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.9V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3150pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：130nC @ 10V
- Rise Time：13ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：56A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：40V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：520A
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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