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画像はあくまで参考です。
FJV4101RMTF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
在庫數 78523
- 1+： $0.06212
- 10+： $0.05861
- 100+： $0.05529
- 500+： $0.05216
- 1000+： $0.04921
小計金額 $0.06212
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-300mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- HTS Code：8541.21.00.95
- Voltage - Rated DC：-50V
- Max Power Dissipation：200mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-100mA
- Base Part Number：FJV4101
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：200mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：PNP - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：200MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：-50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-10V
- Resistor - Base (R1)：4.7 k Ω
- Continuous Collector Current：-100mA
- Resistor - Emitter Base (R2)：4.7 k Ω
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 78523
- 1+： $0.06212
- 10+： $0.05861
- 100+： $0.05529
- 500+： $0.05216
- 1000+： $0.04921
小計金額 $0.06212
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