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画像はあくまで参考です。
LF356N
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Texas Instruments
-
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
- 8-DIP (0.300, 7.62mm)
- IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP
Date Sheet
在庫數 2000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：8-DIP (0.300, 7.62mm)
- Number of Pins：8
- Operating Temperature：0°C~70°C
- Packaging：Tube
- Series：BI-FET™
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：no
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Packing Method：RAIL
- Max Power Dissipation：670mW
- Terminal Position：DUAL
- Number of Functions：1
- Supply Voltage：15V
- Terminal Pitch：2.54mm
- Base Part Number：LF356
- Pin Count：8
- Operating Supply Voltage：15V
- Number of Channels：1
- Operating Supply Current：5mA
- Nominal Supply Current：5mA
- Power Dissipation：670mW
- Output Current：25mA
- Max Supply Current：10mA
- Slew Rate：12V/μs
- Architecture：VOLTAGE-FEEDBACK
- Amplifier Type：J-FET
- Common Mode Rejection Ratio：80 dB
- Current - Input Bias：30pA
- Voltage - Supply, Single/Dual (±)：±15V
- Input Offset Voltage (Vos)：10mV
- Neg Supply Voltage-Nom (Vsup)：-15V
- Unity Gain BW-Nom：5000 kHz
- Voltage Gain：106.02dB
- Average Bias Current-Max (IIB)：0.0002μA
- Power Supply Rejection Ratio (PSRR)：80dB
- Low-Offset：NO
- Frequency Compensation：YES
- Voltage - Input Offset：3mV
- Low-Bias：YES
- Bias Current-Max (IIB) @25C：0.0002μA
- Input Offset Current-Max (IIO)：0.002μA
- Height：3.3mm
- Length：9.27mm
- Width：6.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
在庫數 2000
小計金額 $0.00000
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