日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FQPF9N25C
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
Date Sheet
在庫數 1450
- 1+： $1.02471
- 10+： $0.96670
- 100+： $0.91199
- 500+： $0.86036
- 1000+： $0.81166
小計金額 $1.02471
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：90 ns
- Power Dissipation (Max)：38W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8.8A Tc
- Published：2004
- Series：QFET®
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：430MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：250V
- Current Rating：8.8A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：38W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：430m Ω @ 4.4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：710pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35nC @ 10V
- Rise Time：85ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：65 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8.8A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：250V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：285 mJ
- Width：4.7mm
- Length：10.16mm
- Height：9.19mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1450
- 1+： $1.02471
- 10+： $0.96670
- 100+： $0.91199
- 500+： $0.86036
- 1000+： $0.81166
小計金額 $1.02471
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
