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画像はあくまで参考です。
STP3N80K5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Date Sheet
在庫數 2000
- 1+： $1.68472
- 10+： $1.58936
- 100+： $1.49939
- 500+： $1.41452
- 1000+： $1.33446
小計金額 $1.68472
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：NRND (Last Updated: 7 months ago)
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：329.988449mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：20.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH5™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STP3N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.5 Ω @ 1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：130pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：9.5nC @ 10V
- Rise Time：7.5ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：800V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.5A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- DS Breakdown Voltage-Min：800V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：65 mJ
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2000
- 1+： $1.68472
- 10+： $1.58936
- 100+： $1.49939
- 500+： $1.41452
- 1000+： $1.33446
小計金額 $1.68472
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