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BLW86
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Advanced
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Axial
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Package / Case：Axial
- Supplier Device Package：Axial
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：60 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：5
- Unit Weight：1.304431 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：Screw Mount
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- Maximum DC Collector Current：12 A
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：35 V
- Operating Temperature：-65°C ~ 175°C
- Series：Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
- Packaging：Bulk
- Size / Dimension：0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
- Tolerance：±0.5%
- Part Status：Active
- Number of Terminations：2
- Temperature Coefficient：±25ppm/°C
- Type：RF Bipolar Power
- Resistance：1.07 kOhms
- Composition：Metal Film
- Power (Watts)：0.125W, 1/8W
- Subcategory：Transistors
- Technology：Si
- Operating Frequency：175 MHz
- Failure Rate：P (0.1%)
- Product Type：RF Bipolar Transistors
- Transistor Type：Bipolar Power
- Continuous Collector Current：5 A
- Features：Military, Moisture Resistant, Weldable
- Product Category：RF Bipolar Transistors
- Height Seated (Max)：--
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