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MRF545
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Microchip
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Trans RF BJT PNP 70V 0.4A 3-Pin TO-39
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Mount：Through Hole
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：70 V
- RoHS：Compliant
- Package Description：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Rohs Code：No
- Transition Frequency-Nom (fT)：1400 MHz
- Manufacturer Part Number：MRF545
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.1
- Part Package Code：TO-39
- Packaging：Bulk
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN LEAD
- Max Operating Temperature：200 °C
- Min Operating Temperature：-65 °C
- HTS Code：8541.29.00.75
- Max Power Dissipation：3.5 W
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：WIRE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：O-MBCY-W3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：70 V
- Max Collector Current：400 mA
- JEDEC-95 Code：TO-39
- Gain：14 dB
- Transition Frequency：1.4 GHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100 V
- Collector Current-Max (IC)：0.4 A
- Collector-Emitter Voltage-Max：70 V
- Highest Frequency Band：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Collector-Base Capacitance-Max：3.2 pF
- Radiation Hardening：No
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