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画像はあくまで参考です。
FGP10N60UNDF
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ON Semiconductor
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Transistors - IGBTs - Single
- TO-220-3
- IGBT Transistors 600V 10A NPT IGBT
Date Sheet
在庫數 100
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.3V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：400V, 10A, 10 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Max Power Dissipation：139W
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：139W
- Input Type：Standard
- Turn On Delay Time：8.1 ns
- Transistor Application：MOTOR CONTROL
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：600V
- Max Collector Current：20A
- Reverse Recovery Time：37.7 ns
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Turn On Time：15.4 ns
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.45V @ 15V, 10A
- Turn Off Time-Nom (toff)：89.3 ns
- IGBT Type：NPT
- Gate Charge：37nC
- Current - Collector Pulsed (Icm)：30A
- Td (on/off) @ 25°C：8ns/52.2ns
- Switching Energy：150μJ (on), 50μJ (off)
- Gate-Emitter Voltage-Max：20V
- Gate-Emitter Thr Voltage-Max：8.5V
- Fall Time-Max (tf)：24.8ns
- Height：16.51mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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