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MMBTH11
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
在庫數 468
- 1+： $0.04213
- 10+： $0.03975
- 100+： $0.03750
- 500+： $0.03537
- 1000+： $0.03337
小計金額 $0.04213
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：60
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：25V
- Max Power Dissipation：225mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：50mA
- Frequency：650MHz
- Base Part Number：MMBTH11
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：225mW
- Output Power：225mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：650MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：25V
- Max Collector Current：50mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：60 @ 4mA 10V
- Transition Frequency：650MHz
- Max Breakdown Voltage：25V
- Collector Base Voltage (VCBO)：30V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：3V
- Continuous Collector Current：50mA
- Collector-Base Capacitance-Max：0.7pF
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 468
- 1+： $0.04213
- 10+： $0.03975
- 100+： $0.03750
- 500+： $0.03537
- 1000+： $0.03337
小計金額 $0.04213
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