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MMBTH24
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
在庫數 37
- 1+： $0.00953
- 10+： $0.00899
- 100+： $0.00849
- 500+： $0.00800
- 1000+： $0.00755
小計金額 $0.00953
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Number of Elements：1
- hFEMin：30
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：30V
- Max Power Dissipation：225mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：50mA
- Frequency：400MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：MMBTH24
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：225mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：400MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：50mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：30 @ 8mA 10V
- Transition Frequency：400MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Collector Base Voltage (VCBO)：40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4V
- Continuous Collector Current：50mA
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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