日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
PD55015-E
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF
Date Sheet
在庫數 3200
- 1+： $20.61638
- 10+： $19.44942
- 100+： $18.34851
- 500+： $17.30991
- 1000+： $16.33010
小計金額 $20.61638
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：25 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Package / Case：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- Number of Pins：2
- Number of Elements：1
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：3 (168 Hours)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Max Operating Temperature：165°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Max Power Dissipation：73W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：250
- Current Rating：5A
- Frequency：500MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：PD55015
- Pin Count：10
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：73W
- Case Connection：SOURCE
- Current - Test：150mA
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Drain to Source Voltage (Vdss)：40V
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Transistor Type：LDMOS
- Continuous Drain Current (ID)：5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Max Output Power：15W
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5A
- Drain to Source Breakdown Voltage：40V
- Input Capacitance：89pF
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Voltage - Test：12.5V
- Min Breakdown Voltage：40V
- Power Gain：14dB
- Height：3.5mm
- Length：7.5mm
- Width：9.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3200
- 1+： $20.61638
- 10+： $19.44942
- 100+： $18.34851
- 500+： $17.30991
- 1000+： $16.33010
小計金額 $20.61638
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
