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画像はあくまで参考です。
FDS8949
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL
Date Sheet
在庫數 494220
- 1+： $1.45041
- 10+： $1.36831
- 100+： $1.29086
- 500+： $1.21779
- 1000+： $1.14886
小計金額 $1.45041
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Turn Off Delay Time：23 ns
- Number of Elements：2
- Published：2006
- Series：PowerTrench®
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：29mOhm
- Voltage - Rated DC：40V
- Max Power Dissipation：2W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：6A
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：29m Ω @ 6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：955pF @ 20V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：11nC @ 5V
- Rise Time：5ns
- Fall Time (Typ)：3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6A
- Threshold Voltage：1.9V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：40V
- Dual Supply Voltage：40V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：1.9 V
- Width：4mm
- Length：5mm
- Height：1.5mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 494220
- 1+： $1.45041
- 10+： $1.36831
- 100+： $1.29086
- 500+： $1.21779
- 1000+： $1.14886
小計金額 $1.45041
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