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画像はあくまで参考です。
ULN2003ADR
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Texas Instruments
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Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Bipolar Transistor Array, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $0.62036
- 10+： $0.58524
- 100+： $0.55212
- 500+： $0.52086
- 1000+： $0.49138
小計金額 $0.62036
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Gold
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：16
- Weight：141.690917mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Package Identifier：D(R-PDSO-G16)
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
- Number of Elements：7
- Operating Temperature：-20°C~70°C TA
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q100
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：16
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- HTS Code：8541.29.00.95
- Voltage - Rated DC：50V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：500mA
- Base Part Number：ULN2003
- Pin Count：16
- Output Voltage：50V
- Polarity：NPN
- Configuration：COMPLEX
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：7 NPN Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：500mA
- Current - Collector Cutoff (Max)：50μA
- JEDEC-95 Code：MS-012AC
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.6V @ 500μA, 350mA
- VCEsat-Max：1.6 V
- Height：1.75mm
- Length：9.9mm
- Width：3.91mm
- Thickness：1.58mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $0.62036
- 10+： $0.58524
- 100+： $0.55212
- 500+： $0.52086
- 1000+： $0.49138
小計金額 $0.62036
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