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画像はあくまで参考です。
ULN2003AN
-
Texas Instruments
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- 16-DIP (0.300, 7.62mm)
- TEXAS INSTRUMENTS - ULN2003AN - TRANSISTOR ARRAY, NPN, 2003, DIP16
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $0.77301
- 10+： $0.72925
- 100+： $0.68798
- 500+： $0.64903
- 1000+： $0.61230
小計金額 $0.77301
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Gold
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：16-DIP (0.300, 7.62mm)
- Number of Pins：16
- Weight：951.693491mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
- Number of Elements：7
- Operating Temperature：-20°C~70°C TA
- Packaging：Tube
- Series：Automotive, AEC-Q100
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：16
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- HTS Code：8541.29.00.95
- Voltage - Rated DC：50V
- Terminal Position：DUAL
- Current Rating：500mA
- Base Part Number：ULN2003
- Pin Count：16
- Output Voltage：50V
- Polarity：NPN
- Configuration：COMPLEX
- Transistor Application：SWITCHING
- Forward Voltage：1.7V
- Transistor Type：7 NPN Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：500mA
- Current - Collector Cutoff (Max)：50μA
- JEDEC-95 Code：MS-001BB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.6V @ 500μA, 350mA
- Input Capacitance：15pF
- Emitter Base Voltage (VEBO)：50V
- Input Current：930μA
- VCEsat-Max：1.6 V
- Height：5.08mm
- Length：19.3mm
- Width：6.35mm
- Thickness：3.9mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $0.77301
- 10+： $0.72925
- 100+： $0.68798
- 500+： $0.64903
- 1000+： $0.61230
小計金額 $0.77301
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