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画像はあくまで参考です。
FMBM5551
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
Date Sheet
在庫數 3700
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：150mV
- Number of Elements：2
- hFEMin：80
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：160V
- Max Power Dissipation：700mW
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：600mA
- Frequency：300MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：FMBM5551
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：700mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：300MHz
- Transistor Type：2 NPN (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：160V
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：200mV @ 5mA, 50mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：160V
- Collector Base Voltage (VCBO)：180V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Height：1.12mm
- Length：3mm
- Width：1.68mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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