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画像はあくまで参考です。
FMB2227A
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6
Date Sheet
在庫數 170
- 1+： $0.52019
- 10+： $0.49074
- 100+： $0.46297
- 500+： $0.43676
- 1000+： $0.41204
小計金額 $0.52019
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.4V
- Number of Elements：2
- hFEMin：75
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：700mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：500mA
- Frequency：250MHz
- Base Part Number：FMB2227
- Polarity：NPN, PNP
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：700mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：250MHz
- Transistor Type：NPN, PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：30 @ 300mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：30nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.4V @ 30mA, 300mA
- Transition Frequency：250MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 170
- 1+： $0.52019
- 10+： $0.49074
- 100+： $0.46297
- 500+： $0.43676
- 1000+： $0.41204
小計金額 $0.52019
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