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画像はあくまで参考です。
ULN2003ANE4
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Texas Instruments
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Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- 16-DIP (0.300, 7.62mm)
- Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $0.66586
- 10+： $0.62817
- 100+： $0.59261
- 500+： $0.55907
- 1000+： $0.52742
小計金額 $0.66586
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：16-DIP (0.300, 7.62mm)
- Number of Pins：16
- Weight：951.693491mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
- Number of Elements：7
- Operating Temperature：-20°C~70°C TA
- Packaging：Tube
- Series：Automotive, AEC-Q100
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：16
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- HTS Code：8542.39.00.01
- Terminal Position：DUAL
- Base Part Number：ULN2003
- Pin Count：16
- Output Voltage：50V
- Polarity：NPN
- Configuration：COMPLEX
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：7 NPN Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：500mA
- Current - Collector Cutoff (Max)：50μA
- JEDEC-95 Code：MS-001BB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.6V @ 500μA, 350mA
- VCEsat-Max：1.6 V
- Height：5.08mm
- Length：19.3mm
- Width：6.35mm
- Thickness：3.9mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
- 1+： $0.66586
- 10+： $0.62817
- 100+： $0.59261
- 500+： $0.55907
- 1000+： $0.52742
小計金額 $0.66586
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