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画像はあくまで参考です。
BC847S
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
Date Sheet
在庫數 2947
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：51 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Package / Case：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：6
- Weight：28mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：650mV
- hFEMin：110
- Number of Elements：2
- Published：2000
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：45V
- Max Power Dissipation：300mW
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：200mA
- Frequency：200MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BC847S
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：300mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：200MHz
- Transistor Type：2 NPN (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：200mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：110 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：15nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Height：1mm
- Length：2mm
- Width：1.25mm
- RoHS Status：RoHS Compliant
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2947
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