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画像はあくまで参考です。
FMB200
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
Date Sheet
在庫數 122556
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：28 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400mV
- Number of Elements：2
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-45V
- Max Power Dissipation：700mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-500mA
- Frequency：300MHz
- Base Part Number：FMB200
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：700mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：300MHz
- Transistor Type：2 PNP (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：400mV @ 20mA, 200mA
- Transition Frequency：300MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-6V
- Height：1mm
- Length：3mm
- Width：1.7mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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