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画像はあくまで参考です。
TIP35CG
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-247-3
- ON SEMICONDUCTOR TIP35CG RF TRANSISTOR, NPN 100V 3MHZ TO-247
Date Sheet
在庫數 518
- 1+： $5.03924
- 10+： $4.75400
- 100+： $4.48491
- 500+： $4.23104
- 1000+： $3.99155
小計金額 $5.03924
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Surface Mount：NO
- Package / Case：TO-247-3
- Mounting Type：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
- hFEMin：25
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W
- Published：2002
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：25A
- Frequency：3MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：125W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：25A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 15A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：4V @ 5A, 25A
- Transition Frequency：3MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Width：4.9022mm
- Length：15.2146mm
- Height：20.3454mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
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