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画像はあくまで参考です。
BDV65BG
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-247-3
- Trans Darlington NPN 100V 10A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail
Date Sheet
在庫數 7
- 1+： $2.65813
- 10+： $2.50767
- 100+： $2.36573
- 500+： $2.23182
- 1000+： $2.10549
小計金額 $2.65813
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：125W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：10A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：3
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：125W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：10A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 5A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2V @ 20mA, 5A
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 7
- 1+： $2.65813
- 10+： $2.50767
- 100+： $2.36573
- 500+： $2.23182
- 1000+： $2.10549
小計金額 $2.65813
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