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画像はあくまで参考です。
MJ11015G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-204AA, TO-3
- TRANS PNP DARL 120V 30A TO3
Date Sheet
在庫數 5000
- 1+： $12.89892
- 10+： $12.16879
- 100+： $11.47999
- 500+： $10.83018
- 1000+： $10.21715
小計金額 $12.89892
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-204AA, TO-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：2
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：120V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：3V
- Power Dissipation (Max)：200W
- Number of Elements：1
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：-55°C~200°C TJ
- Packaging：Tray
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-120V
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-30A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：200W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：PNP - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：120V
- Max Collector Current：30A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 20A 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：4V @ 300mA, 30A
- Transition Frequency：4MHz
- Frequency - Transition：4MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：120V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：30A
- Height：8.51mm
- Length：39.37mm
- Width：26.67mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5000
- 1+： $12.89892
- 10+： $12.16879
- 100+： $11.47999
- 500+： $10.83018
- 1000+： $10.21715
小計金額 $12.89892
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