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画像はあくまで参考です。
2N5883G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-204AA, TO-3
- TRANS PNP 60V 25A TO3
Date Sheet
在庫數 13
- 1+： $5.99114
- 10+： $5.65202
- 100+： $5.33209
- 500+： $5.03027
- 1000+： $4.74554
小計金額 $5.99114
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-204AA, TO-3
- Surface Mount：NO
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：2
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：200W
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：4MHz
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Operating Temperature：-65°C~200°C TJ
- Packaging：Tray
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-60V
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：25A
- Frequency：4MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2N5883
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：200W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：25A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 10A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：2mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：4V @ 6.25A, 25A
- Transition Frequency：4MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Width：6.35mm
- Length：31.75mm
- Height：6.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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