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画像はあくまで参考です。
MJD112RLG
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Date Sheet
在庫數 5400
- 1+： $1.37018
- 10+： $1.29262
- 100+： $1.21945
- 500+： $1.15043
- 1000+： $1.08531
小計金額 $1.37018
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：1.75W
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：2A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：MJD112
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Halogen Free：Halogen Free
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 2A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：20μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 40mA, 4A
- Transition Frequency：25MHz
- Max Breakdown Voltage：100V
- Frequency - Transition：25MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：2A
- Height：2.38mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5400
- 1+： $1.37018
- 10+： $1.29262
- 100+： $1.21945
- 500+： $1.15043
- 1000+： $1.08531
小計金額 $1.37018
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