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画像はあくまで参考です。
BC33716BU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
Date Sheet
在庫數 8156
- 1+： $0.26257
- 10+： $0.24771
- 100+： $0.23369
- 500+： $0.22046
- 1000+： $0.20798
小計金額 $0.26257
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Contact Plating：Tin
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：179mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- hFEMin：60
- Number of Elements：1
- Published：2017
- Packaging：Bulk
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：45V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：800mA
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：BC337
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：210MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：800mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
- Collector Base Voltage (VCBO)：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Width：3.86mm
- Length：4.58mm
- Height：5.33mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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