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MPS751
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Bipolar Transistors - BJT Si PNP Transistor
Date Sheet
在庫數 70000
- 1+： $0.45301
- 10+： $0.42737
- 100+： $0.40318
- 500+： $0.38036
- 1000+： $0.35883
小計金額 $0.45301
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Weight：201mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：75
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-60V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Current Rating：-2A
- Frequency：75MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：MPS751
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：75MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：75 @ 1A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
- Transition Frequency：75MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：4.58mm
- Length：4.58mm
- Width：3.86mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 70000
- 1+： $0.45301
- 10+： $0.42737
- 100+： $0.40318
- 500+： $0.38036
- 1000+： $0.35883
小計金額 $0.45301
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