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画像はあくまで参考です。
BC550CTA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Supplied as a Tape, ON Semi BC550CTA NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin TO-92
Date Sheet
在庫數 6000
- 1+： $0.20851
- 10+： $0.19671
- 100+： $0.18557
- 500+： $0.17507
- 1000+： $0.16516
小計金額 $0.20851
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- hFEMin：110
- Number of Elements：1
- Published：2002
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：45V
- Max Power Dissipation：500mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：WIRE
- Current Rating：100mA
- Frequency：300MHz
- Base Part Number：BC550
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：500mW
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：300MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：420 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：15nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
- Transition Frequency：300MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Collector Base Voltage (VCBO)：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Width：3.86mm
- Length：4.58mm
- Height：4.58mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 6000
- 1+： $0.20851
- 10+： $0.19671
- 100+： $0.18557
- 500+： $0.17507
- 1000+： $0.16516
小計金額 $0.20851
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