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画像はあくまで参考です。
2N5550TA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Date Sheet
在庫數 33000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：300MHz
- Power Dissipation (Max)：625mW
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：140V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- hFEMin：60
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：140V
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：600mA
- Frequency：300MHz
- Base Part Number：2N5550
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：140V
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：60 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 5mA, 50mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：140V
- Collector Base Voltage (VCBO)：160V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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