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2N5550TFR
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Date Sheet
在庫數 16000
- 1+： $0.20860
- 10+： $0.19680
- 100+： $0.18566
- 500+： $0.17515
- 1000+： $0.16523
小計金額 $0.20860
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- hFEMin：60
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：140V
- Published：2000
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：140V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：600mA
- Frequency：300MHz
- Base Part Number：2N5550
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：300MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：140V
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：60 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 5mA, 50mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：140V
- Collector Base Voltage (VCBO)：160V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Width：3.86mm
- Length：4.58mm
- Height：4.58mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 16000
- 1+： $0.20860
- 10+： $0.19680
- 100+： $0.18566
- 500+： $0.17515
- 1000+： $0.16523
小計金額 $0.20860
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