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画像はあくまで参考です。
KSP13TA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Trans Darlington NPN 30V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $0.29627
- 10+： $0.27950
- 100+： $0.26368
- 500+： $0.24875
- 1000+： $0.23467
小計金額 $0.29627
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Number of Elements：1
- hFEMin：10000
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：30V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：500mA
- Base Part Number：KSP13
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
- Transition Frequency：125MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Frequency - Transition：125MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：30V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：10V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $0.29627
- 10+： $0.27950
- 100+： $0.26368
- 500+： $0.24875
- 1000+： $0.23467
小計金額 $0.29627
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