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画像はあくまで参考です。
SBC856BLT1G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $0.11807
- 10+： $0.11139
- 100+： $0.10509
- 500+： $0.09914
- 1000+： $0.09353
小計金額 $0.11807
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-650mV
- Power Dissipation (Max)：300mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：220
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Frequency：100MHz
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：300mW
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：65V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：220 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：15nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：65V
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：100mA
- Height：1.11mm
- Length：3.04mm
- Width：2.64mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $0.11807
- 10+： $0.11139
- 100+： $0.10509
- 500+： $0.09914
- 1000+： $0.09353
小計金額 $0.11807
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