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画像はあくまで参考です。
2N6040G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB
Date Sheet
在庫數 135800
- 1+： $0.74295
- 10+： $0.70089
- 100+： $0.66122
- 500+： $0.62379
- 1000+： $0.58848
小計金額 $0.74295
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：6.000006g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Power Dissipation (Max)：75W
- Number of Elements：1
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
- Voltage - Rated DC：-60V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：8A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2N6040
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：75W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：PNP - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：8A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 4A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：20μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2V @ 16mA, 4A
- Transition Frequency：4MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：8A
- Height：15.75mm
- Length：10.53mm
- Width：4.83mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 135800
- 1+： $0.74295
- 10+： $0.70089
- 100+： $0.66122
- 500+： $0.62379
- 1000+： $0.58848
小計金額 $0.74295
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