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画像はあくまで参考です。
2N6667G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
Date Sheet
在庫數 160
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：6.000006g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：2W
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-60V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-10A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2N6667
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：2W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：PNP - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：10A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 5A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 100mA, 10A
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：10A
- Height：15.75mm
- Length：10.53mm
- Width：4.83mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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