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画像はあくまで参考です。
BDW94C
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STMicroelectronics
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Bipolar (Bjt) Single Transistor, Darlington, Pnp, 100 V, 80 W, 12 A, 20000 Rohs Compliant: Yes
Date Sheet
在庫數 650
- 1+： $1.41585
- 10+： $1.33570
- 100+： $1.26010
- 500+： $1.18877
- 1000+： $1.12148
小計金額 $1.41585
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.000006g
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Package Identifier：TO-220-P011
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：3V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-100V
- Max Power Dissipation：80W
- Current Rating：-12A
- Base Part Number：BDW94
- Pin Count：3
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：80W
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：PNP - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：12A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：750 @ 5A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 100mA, 10A
- Transition Frequency：20MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：2.5V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- VCEsat-Max：3 V
- Height：19.68mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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