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画像はあくまで参考です。
MJ802G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-204AA, TO-3
- TRANS NPN 90V 30A TO3
Date Sheet
在庫數 15944
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-204AA, TO-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：2
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：90V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：800mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：2MHz
- Power Dissipation (Max)：200W
- Number of Elements：1
- hFEMin：25
- Operating Temperature：-65°C~200°C TJ
- Packaging：Tray
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：90V
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：30A
- Frequency：2MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：MJ802
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：200W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：90V
- Max Collector Current：30A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：25 @ 7.5A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：800mV @ 750mA, 7.5A
- Transition Frequency：2MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4V
- Height：8.51mm
- Length：39.37mm
- Width：26.67mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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