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画像はあくまで参考です。
2N5302G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-204AA, TO-3
- ON SEMICONDUCTOR - 2N5302G - ?????????? ??????????, ?????????????, NPN, 60 ?, 2 ???, 200 ??, 30 ?, 2 hFE
Date Sheet
在庫數 13
- 1+： $3.09307
- 10+： $2.91799
- 100+： $2.75282
- 500+： $2.59700
- 1000+： $2.45000
小計金額 $3.09307
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-204AA, TO-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：2
- Weight：13.607771g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：750mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：2MHz
- Power Dissipation (Max)：200W
- Number of Elements：1
- hFEMin：15
- Operating Temperature：-65°C~200°C TJ
- Packaging：Tray
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：30A
- Frequency：2MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2N5302
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：200W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：30A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 15A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：5mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 6A, 30A
- Transition Frequency：2MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Height：25.4mm
- Length：38.1mm
- Width：25.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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