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画像はあくまで参考です。
BD435G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- Trans GP BJT NPN 32V 4A 3-Pin TO-225 Bulk
Date Sheet
在庫數 7
- 1+： $0.52676
- 10+： $0.49694
- 100+： $0.46881
- 500+： $0.44228
- 1000+： $0.41724
小計金額 $0.52676
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：32V
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：32V
- Max Power Dissipation：36W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：4A
- Frequency：3MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BD435
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：36W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：3MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：32V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：85 @ 500mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
- Transition Frequency：3MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：32V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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