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画像はあくまで参考です。
BD681G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- Bipolar (Bjt) Single Transistor, Darlington, Npn, 100 V, 40 W, 4 A, 750 Rohs Compliant: Yes
Date Sheet
在庫數 3850
- 1+： $1.10587
- 10+： $1.04327
- 100+： $0.98422
- 500+： $0.92851
- 1000+： $0.87595
小計金額 $1.10587
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Contact Plating：Tin
- Surface Mount：NO
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Mounting Type：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：40W
- hFEMin：750
- Packaging：Bulk
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Published：1995
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：100V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：4A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BD681
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：40W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Halogen Free：Halogen Free
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：11.04mm
- Length：7.74mm
- Width：2.66mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
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