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画像はあくまで参考です。
BD136G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3-Pin TO-225 Box
Date Sheet
在庫數 2000
- 1+： $1.21654
- 10+： $1.14768
- 100+： $1.08272
- 500+： $1.02143
- 1000+： $0.96361
小計金額 $1.21654
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Power Dissipation (Max)：1.25W
- Number of Elements：1
- hFEMin：25
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-45V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-1.5A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BD136
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.25W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：1.5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Collector Base Voltage (VCBO)：45V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：11.0998mm
- Length：7.7978mm
- Width：2.9972mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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