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画像はあくまで参考です。
NZT660
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
Date Sheet
在庫數 3500
- 1+： $0.77919
- 10+： $0.73508
- 100+： $0.69348
- 500+： $0.65422
- 1000+： $0.61719
小計金額 $0.77919
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：4
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：550mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：75MHz
- Power Dissipation (Max)：2W
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-60V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-3A
- Frequency：75MHz
- Base Part Number：NZT660
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：2W
- Case Connection：COLLECTOR
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 500mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：550mV @ 300mA, 3A
- Transition Frequency：75MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：1.7mm
- Length：6.7mm
- Width：3.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3500
- 1+： $0.77919
- 10+： $0.73508
- 100+： $0.69348
- 500+： $0.65422
- 1000+： $0.61719
小計金額 $0.77919
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