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画像はあくまで参考です。
NZT751
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- TRANS PNP 60V 4A SOT223
Date Sheet
在庫數 75200
- 1+： $0.89586
- 10+： $0.84515
- 100+： $0.79731
- 500+： $0.75218
- 1000+： $0.70960
小計金額 $0.89586
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：45 Weeks
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- hFEMin：75
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：75MHz
- Power Dissipation (Max)：1.2W
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-60V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-4A
- Frequency：75MHz
- Base Part Number：NZT751
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.2W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 2A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
- Transition Frequency：75MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Width：3.7mm
- Height：1.7mm
- Length：6.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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