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画像はあくまで参考です。
BCW65ALT1G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $0.15307
- 10+： $0.14441
- 100+： $0.13624
- 500+： $0.12852
- 1000+： $0.12125
小計金額 $0.15307
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：32V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：100MHz
- Power Dissipation (Max)：225mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：35
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：32V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：800mA
- Frequency：100MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BCW65
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：300mW
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：32V
- Max Collector Current：800mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：20nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：32V
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Turn Off Time-Max (toff)：400ns
- Height：1.11mm
- Length：3.04mm
- Width：2.64mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
- 1+： $0.15307
- 10+： $0.14441
- 100+： $0.13624
- 500+： $0.12852
- 1000+： $0.12125
小計金額 $0.15307
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