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画像はあくまで参考です。
NZT7053
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- TRANS NPN DARL 100V 1.5A SOT223
Date Sheet
在庫數 95600
- 1+： $1.80277
- 10+： $1.70072
- 100+： $1.60446
- 500+： $1.51364
- 1000+： $1.42796
小計金額 $1.80277
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：3
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Power Dissipation (Max)：1W
- Number of Elements：1
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：1997
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：100V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：1.5A
- Base Part Number：NZT7053
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：1.5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 1A 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：200nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：100V
- Frequency - Transition：200MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Height：1.6mm
- Length：6.5mm
- Width：3.56mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 95600
- 1+： $1.80277
- 10+： $1.70072
- 100+： $1.60446
- 500+： $1.51364
- 1000+： $1.42796
小計金額 $1.80277
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