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画像はあくまで参考です。
PZTA29
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans Darlington NPN 100V 0.8A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
在庫數 55000
- 1+： $0.60916
- 10+： $0.57468
- 100+： $0.54215
- 500+： $0.51146
- 1000+： $0.48251
小計金額 $0.60916
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：10000
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：1W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：800mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：PZTA29
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Polarity：NPN
- Configuration：SINGLE
- Power Dissipation：1W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：800mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
- Transition Frequency：125MHz
- Max Breakdown Voltage：100V
- Frequency - Transition：125MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 55000
- 1+： $0.60916
- 10+： $0.57468
- 100+： $0.54215
- 500+： $0.51146
- 1000+： $0.48251
小計金額 $0.60916
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