日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
BD682S
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126
Date Sheet
在庫數 109
- 1+： $0.77598
- 10+： $0.73206
- 100+： $0.69062
- 500+： $0.65153
- 1000+： $0.61465
小計金額 $0.77598
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：761mg
- Transistor Element Material：SILICON
- hFEMin：750
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
- Power Dissipation (Max)：14W
- Number of Elements：1
- Packaging：Bulk
- Published：2002
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-100V
- Current Rating：-4A
- Base Part Number：BD682
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Power - Max：14W
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：PNP - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
- Transition Frequency：3MHz
- Max Breakdown Voltage：22V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Continuous Collector Current：-4A
- Width：3.25mm
- Height：11mm
- Length：8mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
