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KSE45H11
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Date Sheet
在庫數 50000
- 1+： $1.09101
- 10+： $1.02926
- 100+： $0.97100
- 500+： $0.91603
- 1000+： $0.86418
小計金額 $1.09101
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-1V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：40MHz
- Power Dissipation (Max)：1.67W
- Number of Elements：1
- hFEMin：60
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-80V
- Current Rating：-10A
- Frequency：40MHz
- Base Part Number：KSE45H
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.67W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：10A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：60 @ 2A 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 400mA, 8A
- Transition Frequency：40MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- VCEsat-Max：1 V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 50000
- 1+： $1.09101
- 10+： $1.02926
- 100+： $0.97100
- 500+： $0.91603
- 1000+： $0.86418
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