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画像はあくまで参考です。
BCV26
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ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $0.28120
- 10+： $0.26528
- 100+： $0.25026
- 500+： $0.23610
- 1000+： $0.22273
小計金額 $0.28120
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：10000
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-30V
- Max Power Dissipation：350mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-1.2A
- Base Part Number：BCV26
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Transistor Type：PNP - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：1.2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20000 @ 100mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 100μA, 100mA
- Transition Frequency：220MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Frequency - Transition：220MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：10V
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
- 1+： $0.28120
- 10+： $0.26528
- 100+： $0.25026
- 500+： $0.23610
- 1000+： $0.22273
小計金額 $0.28120
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