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画像はあくまで参考です。
2N4401TA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
Date Sheet
在庫數 42000
- 1+： $0.30782
- 10+： $0.29040
- 100+： $0.27396
- 500+： $0.25845
- 1000+： $0.24382
小計金額 $0.30782
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：750mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：40V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：600mA
- Frequency：250MHz
- Base Part Number：2N4401
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：250MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：40V
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 1V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：750mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：250MHz
- Max Breakdown Voltage：40V
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Turn Off Time-Max (toff)：255ns
- Height：5.33mm
- Length：5.2mm
- Width：4.19mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 42000
- 1+： $0.30782
- 10+： $0.29040
- 100+： $0.27396
- 500+： $0.25845
- 1000+： $0.24382
小計金額 $0.30782
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